本文在MoSi₂发热元件的基础上，根据合金化和复合化的基本思想，采用自蔓延高温合成技术和不同的烧结工艺等制备方法以及扫描电镜、X射线衍射和高温三点弯曲强度等测试手段对SiC／Si₃N₄颗粒增强的MoSi₂基复合材料的粉体的制备过程、粘结剂改性、显微组织、高温力学性能、电热性能和氧化膜产物进行了比较系统的研究。对比了常压烧结、热压烧结和原位合成等工艺对MoSi₂基复合材料上述性能的影响。 研究表明：MoSi₂基复合材料粉体的自蔓延高温合成反应受合金化元素Al和W量的限制，燃烧反应的产物是固溶相（Mo,W）（Al,Si）₂，并且伴生少量（Mo,W）₅Si₃相。适当提高烧结温度和延长保温时间有利于提高试样烧结致密度，合金化元素Al促使了液相烧结，提高了复合材料的致密度。分别用SiC和Si₃N₄颗粒增强的MoSi₂复合材料的室温强度比单体MoSi₂材料的室温强度提高一倍左右，热压烧结复合材料的高温性能差异较大，SiC颗粒增强的(Mo_0.8，W_0.2)(Al_0.3，Si_0.7)₂基复合材料在1400℃高温强度提高幅度明显。Si₃N₄增强颗粒会与合金化元素Al发生反应生成AlN，损害热压试样高温性能，Si₃N₄颗粒不适宜与Al合金化元素共同作用来完成合金化和复合化过程。复合材料以沿晶断裂和解理混合断裂为主。常压烧结的颗粒增强的MoSi₂基复合材料在600℃-1700℃氧化时，添加Al元素的试样氧化膜很快生成，氧化率增大。在600℃低温氧化时Si₃N₄颗粒增强的(Mo_0.8，W_0.2)(Al_0.3，Si_0.7)₂很快发生“pest”效应，该过程认为是受缺陷部位优先氧化机理控制，由Si₃N₄颗粒氧化引起缺陷的增加给试样内部的Al元素提供了反应的空间和机会，两因素的共同作用最终导致“pest”效应的快速发生。在1250℃-1700℃区间内MoSi₂基复合材料的电阻率与MoSi₂发热元件相似，随温度变化大略呈线形变化，电阻率增幅为10％-25％。