LED作为一种重要的数据传输接受器件被广泛应用于光纤通信、数据链接、远程控制器、光学显示器等领域。但是传统LED有许多与生俱来的缺点，比如发射效率低，辐射角度宽，光谱线宽较大，而且调制速率比较低。因此，为了克服这些问题，一种带有谐振腔结构的LED（RCLED）具有独特的优势。与传统LED相比，RCLED光谱线宽窄，耦合效率高，亮度大，是用于视觉显示和塑料光纤通信的理想光源。而且，RCLED不像垂直面发射激光器那样需要复杂的外延和后续工艺。近几年来随着塑料光纤通信和网络技术的不断发展，RCLED在全世界受到越来越广泛的关注，特别是红光RCLED在塑料光纤数据通信领域扮演了重要角色。因为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）基塑料光纤在650nm附近有最小衰减和较宽直径（0.75-1mm），使得两者能够很好匹配。　　 但是，RCLED在我国大陆地区还没有得到任何发展，这在一定程度上阻碍了光通信技术的进步。在北京市教育委员会科技计划面上项目（批准号：KM200810005002）和北京市属市管高等学校人才强教计划资助项目等项目的支持下，本论文参照国外在RCLED领域的研究经验，配合实验室现有条件，多次实验，成功制作出了波长为650nm的AlGaInP材料系的RCLED，器件发光良好，工作压降较低，达到了一定的输出光功率，为本项目的进一步深入研究提供了理论依据、实验基础以及相关工艺参数。具体工作如下：　　 （1）在研究RCLED发光理论的基础上，制作了650nm RCLED的外延结构：微腔厚度为1λ，有源区采用了GaInP/（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5P3量子阱结构；阱和垒的宽度都为5nm，阱和垒的材料分别为GaInP和（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5P，上DBR为15对、10对或5对的（Al0.3Ga0.7）0.5In0.5P/AlInP材料，下DBR为34对AlAs/Al0.5Ga0.5As材料。　　 （2）使用PL谱测试和白光反射普测试实验，对3量子阱结构的发射谱，微腔结构模式波长、上下DBR发射率峰值波长进行了验证，对生长好的外延片进行SEM扫描观测。　　 （3）研究学习LED的基本工艺，归纳各工艺特点，并参照国外RCLED的制作工艺，结合实验室现有条件，完成用于通信光源的SiO2阻挡层RCLED制作工艺流程，制作出最大光强为21.4mcd（C=0.0°，G=-4.5°），平均光强扩散角θ（50％）=86.9°，FWHM为13.1 nm的RCLED。　　 （4）针对制作好RCLED器件电光转换效率低，电流扩展不好的情况，改进RCLED工艺，制作出ITO透明窗口层RCLED。测试结果表明，有ITO的器件热特性得到改善，输出功率得到提高，表面有ITO的器件最大光输出功率是表面无ITO的器件的两倍。　　 （5）运用测试设备对制作完成的RCLED器件进行光电性能测试分析，总结经验。