【摘 要】
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将要引起第二次电子技术革命的智能功率集成电路获得了日益广泛的应用,它的应用范围包括开关电源、电子镇流器、电机驱动、汽车电子和显示驱动等.该文首先简述了智能功率集成
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将要引起第二次电子技术革命的智能功率集成电路获得了日益广泛的应用,它的应用范围包括开关电源、电子镇流器、电机驱动、汽车电子和显示驱动等.该文首先简述了智能功率集成电遗物 研究和发展现状,并对用于智能功率集成电 功率LDMOS工作原理及栅输 入特性进行了分析,利用CAD技术,对使用优化横向变掺杂技术的几种功率LDMOS进行了计算机模拟,实验数据显示:低侧LDMOS耐压大于550V,最大电流1A,比导通电阻0.22Ω.cm<2>;高侧LDMOS耐压大于500V,最大电流0.8A,比导通电阻0.26Ω.cm<2>.根据功率LDMOS的 栅电荷和工作频率,设计了高侧器件的驱动电路,经测试,驱动电流可达45mA.文中给出了SPIC的版图结构和工艺设计参数,文末提供了部分测试结果.
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