本文利用X射线粉末衍射技术、金相分析、差热分析和电子显微镜能谱分析等技术和方法分别研究测定了Er-Cu-V和Dy-Cu-V三元系合金相图773K等温截面。结果表明，Er-Cu-V三元系合金相图773K等温截面存在8个单相区、13个两相区和6个三相区，证实了二元化合物ErCu5、ErCu2、ErCu、Er2Cu9和Er2Cu7的存在。Dy-Cu-V三元系合金相图773K等温截面也存在8个单相区、13个两相区和6个三相区，证实了二元化合物DyCu5、DyCu2、DyCu和Dy2Cu9的存在。没有发现这两个体系中存在三元化合物。没有观察到V在Er-Cu和Dy-Cu二元化合物中的固溶度。　　 利用动态高温粉末X射线衍射技术对热电材料CoSi和CrSi2在室温至973K温度范围内的晶格热膨胀性质进行了研究，测定了这两个化合物的晶格热膨胀系数。化合物CoSi的晶格热膨胀系数和晶胞体热膨胀系数分别为：aα=1.14×10-5K-1和av=3.42×10-5K-1。化合物CrSi2的晶胞参数随着温度升高而逐渐增大。CrSi2的晶格热膨胀系数分别为：aα=0.96×10-5K-1和ac=0.73×10-6K-1。在测量温度范围内，晶格热膨胀系数沿α轴方向远大于沿c轴方向，表现各向异性。CrSi2的晶胞体热膨胀系数为av=2.45×10-5K-1。