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本文系统研究了非晶态FeCuNbCrSiB软磁薄膜材料的最佳制备工艺条件及在最佳条件下制备的FeCuNbCrSiB单层膜、三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应及应力阻抗效应。主要研究结果如下：
1.研究了单层膜的最佳工艺条件。结果表明，最佳工艺条件为：氩气气压4×10-2Torr，氩气流量13SCCM，溅射功率600W，溅射中施加外磁场为16KA/m。
2.实验研究发现，非晶态三明治结构多层膜的GMI变化率最大值可达-21％左右，而相同仅有4.3％左右。
3.实验研究发现，曲折状三明治结构多层膜的GMI变化率最大值可达-65％左右，另外发现各层宽度对样品的GMI效应也有影响，最佳宽度比约为1.0μm：0.4μm：1.0μm。
4.以硅为基体制备出曲折状三明治结构多层膜悬臂梁力敏器件，并对其SI效应及宽度效应进行了研究。研究发现，该结构的SI变化率的最大值可达-25％左右，发现各层宽度对样品的SI效应也有影响，最佳宽度比约为1.0μm：0.4μm：1.0μm。