【摘 要】
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该文分析了影响CdMnTe晶体完整性的各种因素,得出:1.缓慢的生长速度、合适的温度梯度和液相对流强度有利于保持较平的生长界面.适当的ACRT参数可减少界面波动;2.严格控制坩埚
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该文分析了影响CdMnTe晶体完整性的各种因素,得出:1.缓慢的生长速度、合适的温度梯度和液相对流强度有利于保持较平的生长界面.适当的ACRT参数可减少界面波动;2.严格控制坩埚镀膜质量,可减少二次形核的可能性;对镀膜后的坩埚进行抽气处理,可减少晶体中气孔和杂质的产生;3.控制Cd压,可减秒化学配比偏离.从理论上分析了曾采用的Bridgman法晶体生长存在的问题,对长晶工艺作了进一步改进.实验中采用ACRT-B生长方法,优化长晶参数,生长了CMT1、CMT2晶体.实验结果表明,与原有工艺相比,工艺改进后长出的CdMnTe晶体中出现的位错、微裂纹、孪晶等缺陷的数量大大减少,晶体的完整性有很大的提高.
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