【摘 要】
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全无机卤化铅铯钙钛矿(CsPbX3,X=Cl,Br,I)纳米晶由于其在整个可见光谱中可调谐发射,窄的光谱带宽,高的荧光量子产率,宽的色域等优异的性能受到了广泛的关注,并在发光二极管(LED)、激光、太阳能电池、光电探测器、光催化及植物照明等领域的应用中潜力巨大。然而,CsPbX3钙钛矿纳米晶稳定性差,在潮湿环境、热环境以及光照射下很容易分解失去应有的性能,限制了其在实际中的进一步应用。因此,制备一
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全无机卤化铅铯钙钛矿(CsPbX3,X=Cl,Br,I)纳米晶由于其在整个可见光谱中可调谐发射,窄的光谱带宽,高的荧光量子产率,宽的色域等优异的性能受到了广泛的关注,并在发光二极管(LED)、激光、太阳能电池、光电探测器、光催化及植物照明等领域的应用中潜力巨大。然而,CsPbX3钙钛矿纳米晶稳定性差,在潮湿环境、热环境以及光照射下很容易分解失去应有的性能,限制了其在实际中的进一步应用。因此,制备一种既能保持钙钛矿纳米晶优良光电性能又能稳定的复合材料是非常必要的。为此,我们采用高温烧结及整体析晶法制备了一系列Cd2+离子掺杂钙钛矿纳米晶玻璃,采用热注入法制备了天然矿物高岭土纳米管(HNTs)复合的蓝色发光CsPbBr3纳米晶复合材料,并对其微观形貌、稳定性及其光电性能等进行了研究分析,结果表明:1.我们采用传统高温烧结及整体析晶法在硼硅酸盐玻璃中成功制备了 Cd2+离子掺杂的CsPbBr3纳米晶,提高了其量子效率,同时通过玻璃网络体的包裹提高了其化学稳定性和光、热和水稳定性,减少了重金属铅的释放。将制备CsPb0.7Cd0.3Br3纳米晶玻璃、商用荧光粉(CaAlSiN3:Eu2+)和蓝光芯片耦合制备了具有优异光学参数的白光LED器件。2.采用热注入的方法制备了 HNTs复合的CsPbBr3纳米晶复合材料,通过控制反应温度,制备了光致发光可调(489-519 nm)的蓝色发光CsPbBr3纳米晶,并成功与HNTs复合。因HNTs大的比表面积和多孔结构,使CsPbBr3@HNTs复合材料具有高的负载量增强了钙钛矿纳米晶的化学稳定性,减少了铅离子的逸出。在395 nmInGaN蓝紫色芯片激发下,CsPbBr3@HNTs粉和商用红色CaAlSiN3:Eu2+荧光粉匹配,得到白色发光LED器件。为蓝色发光CsPbBr3钙钛矿材料在白光LED和显示器件中的合成和应用提供了新的途径。
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P型晶硅材料因为具有成本低、工艺简单及光电转换效率高等诸多优势在商品太阳能电池中占据主导地位,但也存在对杂质比较敏感,少子寿命较低及衰减效应严重等缺点。N型晶硅具有光致衰减效应低、对杂质不敏感等优势而备受关注。但关于N型晶硅在光场、热场以及光热场耦合作用下的衰减机制和衰减控制技术研究还比较少。鉴于此,本文系统研究了N型晶硅/氧化硅/掺磷多晶硅复合材料的制备、退火晶化条件的优化、在双面隧穿氧化物钝化
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