本论文从高分子弱刺激强响应的软物质特性出发,以立构规整聚(3-烷基噻吩)(P3AT)同系物(聚(3-丁基噻吩)(P3BT)、聚(3-己基噻吩)(P3HT)和聚(3-辛基噻吩)(P30T))为研究对象,研究了刚性链高分子在不同结晶条件下得到晶体的形态,结构及其电学性能。　　 我们利用四氢呋喃蒸汽中退火制备了P3HT和P30T的单晶,其中分子链的排列方式是π-π堆积方向垂直于晶体长轴方向并且分子主链平行于基板。四氢呋喃蒸汽在晶体的成核和生长过程中有重要作用,不同退火时间段的形貌变化说明在中生长经历了Ostwald熟化过程。这种取向的P3HT单晶的迁移率是1.57×10-3cm2/(Vs),P30T单晶的迁移率是1.54×10-4 cm2/(Vs)。　　 通过控制溶剂挥发速率的方法,我们得到了P30T。单晶,其中分子链的排列方式是π-π堆积方向平行于晶体长轴方向并且分子主链平行于基板。在晶体的生长过程中分子间的π-π相互作用占主导地位,其迁移率为0.62 cm2/(Vs)。P3HT和P30T单晶都表现出了很强的面内各向电学异性,这些结果说明共轭高分子器件的性能与其分子链取向有密切关系并且载流子倾向于沿着π-π堆积方向在分子间跃迁。相同分子链取向的单晶中P3HT都表现出比P30T更高的迁移率,说明烷基侧链对电荷传输起阻碍作用。P3BT在溶剂缓慢挥发时通过均相成核结晶得到了球晶,其中P3BT分子链采取伸直结构,并且片晶的生长方向沿着π-π堆积方向。　　 这些结果说明分子链取向和烷基侧链长度对聚噻吩的结构、形态和性能都有重要影响,对我们如何选择合适实验条件以得到最佳器件性能有所裨益,也有利于我们进一步研究共轭高分子的导电机理。