一种高频(MHz)两级VRM的研究

来源 :浙江大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:juntao2010
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结合国际合作研究项目,对两级的DC/DC的拓扑(指标要求为:(36-72)V输入,(1.0-1.5)V输出,(0-20)A输出,隔离型)的主要部分进行高频性能(MHz)探索性研究,其中包括前级拓扑的分析优选和设计、后级拓扑的优选和设计、器件的高频性能研究和磁路的高频下仿真并制作样机进行验证。实验结果证明了理论的正确性。
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