缺陷结构对单负材料光子晶体透射谱的影响

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由于光子晶体特殊光学性质使得对光子晶体的研究,无论是在理论上,还是实验和应用上都获吸引了人们广泛的关注。光子晶体结构可以很好的控制光路的传播路径,而且还能现今的半导体材料科学和精密加工工艺很好地结合,极有可能成为未来光电产业的基础材料。光子晶体的制作过程中会不可避免的掺入杂志。由于在光子晶体中掺杂引入缺陷将会破坏光子晶体原来的周期性结构或者周期单元中材料结构的物理特性,引起光子晶体的带隙结构发生变化。由于缺陷的引入,原来完好的光子晶体带隙结构中将产生非常强的光子局域,形成缺陷模。运用传输矩阵法研究光在有缺陷结构的单负一维光子晶体的传输特性。首先讨论了带有缺陷结构的单负一维光子晶体的透射谱、反射谱以及光场,分析缺陷结构对单负材料一维光子晶体的缺陷模的影响。经过数值模拟发现,缺陷结构的光学厚度会影响缺陷模的中心频率和空间分布,缺陷层周围的介质材料参数也会影响缺陷的光学特性。因此,改变缺陷层的数目和在光子晶体中的位置可以使缺陷模的位置发生移动并有可能导致缺陷模分裂。为了能够实现对光波的传输过程的动态调节,尝试选择掺杂介电常数或磁导率可以随外场改变的材料作为光子晶体中的缺陷层,这样就可以通过改变外加电场或者磁场实现对缺陷模的调节,光波传输的动态调节。如果在两种单负材料组成的一维光子晶体中掺入了周期排列的单负材料缺陷层,该结构的带隙结构内始终有两个缺陷模,这两个缺陷模的位置会随着缺陷层数目的变化或者缺陷层厚度的变化而移动。
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