熔石英元件超光滑磁流变抛光工艺基础研究

来源 :中国工程物理研究院 | 被引量 : 6次 | 上传用户:LOVEmayicomein
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ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技术领域,包括主机、控制电路和计算机三部分组成,主机包括由棱镜。敏感膜敏感芯片、半导 Ue*M#
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