压敏材料由于其优异的电学非线性行为,在电子元器件的保护,避雷器和输电线路过压保护等方面得到了广泛的应用,其既能对电路起到保护作用,又能起到消噪、抗浪涌等作用。以TiO2为主要成分的新型压敏材料的研究目前正处于深入开展的阶段,很多问题需要进一步研究,这正是本文选取TiO2为研究对象的原因。本文用掺杂的方法制备出了两种不同系列的样品,研究了掺杂量及其它制备工艺对压敏材料重要特性的影响,并进行了相关的理论分析。主要工作和结果如下:(1)研究了有关工艺对陶瓷材料的影响。(2)在Bi2O3掺杂量为0.05mol %--1.0mol%的范围内研究了Bi2O3掺杂对TiO2·Nb2O5系陶瓷压敏的非线性伏-安特性及介电性能的影响。实验结果表明:随着Bi2O3掺杂量的增加,样品的非线性系数先增大后减小,在Bi2O3掺杂量为0.2mol%附近达到最大值(6.615);样品的介电常数(在1kHz频率下测量)是先减小后增大,其最小值出现在Bi2O3含量为0.2mol%附近的样品中。(3)研究了Sb2O3掺杂对TiO2陶瓷压敏非线性伏-安特性及介电性能的影响。研究结果表明:非线性系数的最大值(13.23)出现在Sb2O3掺杂量为0.2mol%的样品中。根据这些特点,说明Sb2O3掺杂的TiO2陶瓷是一种较为理想的压敏-电容器。为了进一步说明晶界势垒的形成,引入了晶界缺陷模型,该模型能很好的解释Sb2O3掺杂的TiO2陶瓷的非线性电学行为产生的原因。