本文对MoSi2发热元件产业化过程中的一些重要问题进行了研究，探讨了影响自蔓延燃烧合成MoSi2反应过程的工艺因素、自蔓延燃烧合成MoSi2的反应机理、高纯MoSi2粉体的制备及净化机制和La2O3添加MoSi2粉体的合成及添加效应等原料制备方面的问题；自行设计开发了MoSi2发热元件快速通电加热成膜处理装置和MoSi2发热元件冷热端扩散接合设备；同时，还对大尺寸MoSi2棒材的连续挤出成型工艺和MoSi2发热元件冷热端扩散接合工艺进行了深入的研究；最后，对所开发的1700型MoSi2发热元件进行了评价，并在总结1800型MoSi2发热元件研发工作的基础上提出了进一步研发的方向。 　 通过加入反应性添加剂NH4Cl，采用自蔓延高温燃烧合成的方法制备了转变完全、高度结晶、高纯度的MoSi2粉体，Fe、Cu等杂质含量完全符合半导体工业用MoSi2发热元件的要求。主要净化机制是NH4Cl分解产生的HCl与反应体系中的Fe、Al等杂质反应生成的金属氯化物在高温下挥发，从而有效降低了合成产物中的杂质含量。 　　本文采用低粘度的113C与高粘度的133C混合粘结剂，结合合适的脱脂条件，有效消除了挤出成型制备的大尺寸二硅化钼棒材中二重层状结构的形成趋势，抑制了棒材内部缺陷和外部缺陷的产生，实现了高密度无缺陷产品的制备，将产品的成品率从原来的80﹪提高到了96﹪。 　　本文对1700型二硅化钼发热元件使用性能、最高使用温度和循环使用寿命进行了评价，结果表明所开发的1700型二硅化钼发热元件完全能够满足工业应用的要求。同时，对无机粘结剂结合型超高温二硅化钼发热元件用原料的合成和粘结剂的选择工作进行了总结，并对研发产品的性能进行了评价，结果表明所开发出的1800型MoSi2发热元件循环使用寿命远高于国内外同类产品，但在1700℃下的持久耐热性仍有不足，还需要进一步的深入研究。