利用正电子湮没技术、X射线衍射方法、差热-热重分析系统的研究了激光辐射对MgB2超导样品的影响，发现正电子的寿命不仅与晶体的结构缺陷有关，而且与样品的密度，或晶粒间的孔隙度有关：孔隙度越大，正电子湮没寿命越长。对光照后的MgB2的正电子寿命谱的研究发现，随着光掺杂的增加，样品的缺陷运动机制发生变化，光照使得MgB2样品中的平均电子浓度增加，由3.43×1029m-3上升为3.54×1029m-3，得出由于光辐照激活缺陷的结论，这可能与Mg空位的产生有关。 氧含量是影响Bi系超导体超导电性的重要因素，我们利用固相反应法制备了Bi(Pb)2212，2223相超导样品，研究了制备工艺对Bi系超导电性的影响，找到最佳合成途径。不同氧压下700℃退火处理10小时后再次进行上述实验，分别对样品进行了XRD物相分析及计算晶胞参数、Tc测量检验超导电性、正电子湮没实验，结果表明：通氧和真空热处理都能起到调节样品载流子浓度的作用，由Tc与CuO层中载流子浓度的关系可以看出载流子浓度有一最佳值，此时超导电性能最好，而真空下O.1pa热处理有利于这一最佳值的出现，同时利用正电子湮没技术检测到在氧元素最佳分布也出现在0.1pa真空热处理的样品中及不同的氧压退火热处理下Bi系超导体样品中CuO面的氧元素的分布转移和氧缺陷特性。