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随着集成电路的发展,金属化布线宽度越来越细,铜布线代替铝布线是集成电路布线纳米尺度化的必然趋势。大量铜合金溅射靶材中,高纯铜锰合金因其特有的自形成扩散层的特性而受到关注。靶材的显微组织与织构是影响靶材溅射性能及溅射薄膜质量的关键因素,探明高纯铜锰合金退火过程中显微组织和织构演变规律对于提高高纯铜锰合金溅射靶材的品质有重要意义。基于此,本文利用光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、背散射电子衍射(EBSD)等技术对不同轧制变形量和不同轧制方式的高纯铜锰合金板材退火过程中显微组织和织构演变规律做了详细研究,主要结论如下:(1)在单向轧制冷轧试样等温退火实验中,50%冷轧试样在450℃等温退火1h后完成再结晶,77%和95%冷轧试样在450℃等温退火0.5h后完成再结晶。再结晶完成后,50%冷轧试样的再结晶晶粒尺寸最大,95%冷轧试样再结晶晶粒尺寸最小。(2)轧制变形量以及轧制方式对再结晶晶粒中的孪晶界比存在明显影响。单向轧制中,孪晶界比在50%冷轧退火样品中分布最高,为50%左右;在95%冷轧退火样中分布最低,为30%左右。交叉轧制95%冷轧试样退火后样品内的孪晶界比比单向轧制95%冷轧退火后的孪晶界比低。(3)单向轧制50%和77%冷轧试样等温退火后仍有较强的黄铜织构,而单向轧制95%冷轧试样等温退火后主要是立方织构和旋转立方织构,黄铜织构大大减弱。退火过程中,立方织构和旋转立方织构都是优先出现。(4)单向轧制95%冷轧试样400℃退火1h后基本完成再结晶,组织内的立方织构和旋转立方织构增强,brass-R1织构出现。而交叉轧制95%试样400℃退火1h后还存在大量的变形组织,在450℃退火1h后完成再结晶。相对于单向轧制,交叉轧制冷轧试样完全再结晶需要更高的温度或更长时间,这主要是源于交叉轧制弱化了位错在界面的塞积。完成再结晶后,再结晶织构中主要是立方织构和旋转立方织构。相较于单向轧制试样,交叉轧制试样再结晶组织中的立方织构和旋转立方织构更弱。(5)不同轧制方式95%冷轧试样在不同温度退火过程中,随着退火温度的升高,α取向线密度和β取向线密度总体值都降低。但是当退火温度为600℃时,取向线密度都有增加的趋势,其中交叉轧制95%样品600℃退火后黄铜织构增加的趋势最明显。