非制冷焦平面红外探测器(UFPA)微桥结构的使用，大大降低了探测器热量的损耗，从而提高了探测器的响应度。由于氮化硅薄膜具有低热导、低比热及良好的机械性能，可作为非制冷焦平面红外探测器微桥结构的支撑层。氮化硅薄膜性能的好坏直接影响着微桥工艺的进展。 本论文采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)，分别在二氧化硅衬底(SiO2/Si(100))、聚酰亚胺衬底(Polymide)上制备了氮化硅薄膜，并用多种测试手段对薄膜的表面形貌、应力大小、微结构、均匀性和耐温性能等进行表征。通过大量的实验，基本掌握了PECVD法生长氮化硅薄膜的各工艺参数对氮化硅薄膜性能的影响规律，获得了较多的实验数据，积累了一定的实践经验。由于微桥结构工艺的复杂性，针对微桥结构对制作工艺的实际要求，论文还研究了牺牲层聚酰亚胺和支撑层氮化硅间的工艺兼容性问题，取得了一定的成果。通过工艺的优化，现已经能够生长出优质的、在聚酰亚胺衬底上能承受560℃高温的氮化硅薄膜，基本满足微桥结构支撑层对氮化硅薄膜的性能要求。