科技的进步导致新型功能材料被广泛开发，并在各自的领域发挥着越来越大的作用。AlN陶瓷的理论热导率高达320w∕m·K，以及和Al2O3相匹配的介电常数，和Si相匹配的热膨胀系数等优良特性，使它在集成电路和电子封装等方面的应用越来越广泛。自然界中并没有天然的AlN存在，人工合成AlN粉体普遍面临着生产效率低、成本高、纯度低、粒径分布不均匀等难题。而AlN陶瓷在低温下烧结不致密，难以具有较高的热导率；在高温下烧结又极易氧化变质，形成气孔等缺陷。这些客观的因素都导致AlN的推广十分困难，商业化程度不高。因此，通过改变工艺条件制备性能优良的AlN粉体，进而合成高质量的AlN陶瓷材料，具有重要的商业价值和实际意义。本论文围绕AlN粉体的制备及其低温下的烧结性能等对AlN材料进行了研究。　　本论文中首先以微米级Al为原料，在电弧放电的高温条件下，利用Al粉与载气N2直接反应生成AlN粉体。为了减少试验次数，本文中以反应温度、原料粒径大小为变量，采用正交法系统的研究了它们对合成AlN粉体性能的影响，并找到了最佳的制粉工艺参数。在此基础之上，采用不同配比的AlN粉体做分散剂，研究了分散剂对合成粉体的作用。研究表明：等离子体火焰的温度远高于Al粉氮化所需要的温度，故而制备的AlN粉体粒径细小均匀，平均粒径在100nm左右。原料Al粉的粒径越大，它的流动性也越好，所需要的载气的压力越低，所合成的AlN粉体的纯度也越高。分散剂既能通过自己的裂解来提高粉体中AlN的含量，也可以作为纳米级Al颗粒团聚的中心，使更多的Al暴露在N2气氛下参与氮化反应，故而分散剂能显著的提高粉体中AlN的含量。　　采用微波烧结工艺对合成的AlN粉体进行烧结。结果表明：延长保温时间和使用烧结助剂都能提高陶瓷的致密度。由于我们是在较低的温度下进行烧结，故而和Al2O3在低温下形成复合相的CaO作为烧结助剂时效果比Y2O3好，得到的陶瓷晶粒均匀，排列规则。此外，由于烧结助剂本身也可以作为第二相存在于AlN陶瓷中，从而降低AlN陶瓷的性能，所以烧结助剂的量并不是越多越好，它存在一个理论上的最大值。