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本论文研究氧含量和稀土掺杂对铁磁电材料BiFeO<,3>电学性质的影响。采用固相反应法制备一系列样品，利用XRD物相分析评价样品晶粒生长状况，用原子吸收光谱仪间接测定了样品中的氧含量，用正电子湮没技术(PAT)研究了样品的微观结构缺陷，在室温下，测量了样品的电学性质。利用XRD物相分析可知：在一定的范围内稀土掺杂和氧含量的变化对BiFeO<,3>样品的主体晶格结构没有影响，适量的稀土掺杂能有效地消除样品中的杂相。稀土元素Gd掺杂使BiFeO<,3>晶胞参数有所减小，晶胞体积变小。不同氧含量BiFeO<,δ>样品其晶格结构均与BiFeO<,3>样品晶格结构一样。随掺杂量的增加BiFeO<,3>陶瓷的电阻率整体呈下降趋势，但掺杂量为0.10陶瓷样品的电阻率呈上升趋势，这是因为Fe<2+>转变成Fe<3>使得材料中氧空位减少的缘故；用正电子湮没技术(PAT)探测氧空位和稀土掺杂在BiFeO<,3>陶瓷样品中形成的空位，缺陷，当掺杂量x<0.10时，平均寿命τ<,Av>减小，在x=0.10点，平均寿命τ<,Av>最小，样品中的缺陷和空位减少，当x>0.10后，平均寿命，τ<,Av>开始明显增大，样品中的缺陷和空位增多。在BiFeO<,δ>样品中，正电子的平均寿命随着氧含量的增加而减小，这说明样品中的空位、缺陷是随着氧含量的增加而减少。测量了所有样品的介电特性随频率的变化，大多数Gd掺杂样品的介电常数都比未掺杂的BiFeO<,3>有不同程度的提高，Bi<,0.95>Fe<,0.05>O<,3>样品的介电常数ε<,r>，最大：除Bi<,0.95>Fe<,0.05>O<,3>样品外，Gd掺杂各组样品的介电损耗tanδ都比未掺杂BiFeO<,3>的略为减小。在含氧量不同的样品中，引入氧空位和氧填隙缺陷都使介电常数减小，而介电损耗则随氧含量的增加而增加，二者的变化范围均在10-35％之间，BiFeO<,δ>样品的介电参数随氧含量的变化可以在空间电荷限制电导的框架下来理解。