一维纳米结构例如纳米线、纳米管等由于其优异的物理特性在微电子器件、光电子器件、生物医学器件和太阳能电池等领域有着巨大的应用潜力。在这些纳米器件中,纳米线的数量、尺寸、排列有序性等参数对器件的性能有着决定性的影响。为了满足纳米器件产业化的发展,需要寻求一种有效地探测技术对纳米阵列进行探测和表征。本文的主要工作是利用太赫兹时域光谱(THz-TDS)技术对不同浓度和不同有序度的Ni纳米线阵列进行了测试分析,主要工作成果如下:(1)利用电化学沉积配合模板法制备出了长30μm,直径为250 nm的Ni纳米线;(2)利用磁场排列技术制备出了单层不同浓度和双层不同排列角度的Ni纳米线阵列;(3)利用THz-TDS技术研究了不同浓度平行排列的Ni纳米线阵列。结果表明:在时域谱中透射光强随着纳米线浓度的增加而呈线性减弱;光学厚度随着纳米线浓度的增加而呈线性增加;在频域谱中同样发现样品的透射光强随着样品浓度的增大而减弱;(4)利用THz-TDS技术研究了双层不同角度的Ni纳米线阵列。结果表明:在时域谱中透射光强随纳米线排列角度的增加而呈线性减弱趋势;样品的光学厚度近似相等;在样品的频域谱中发现透射光强随着纳米线排列角度的增大而减弱。