丰富的资源储量和优异的性能使得钠电池最适合作为储能电站的基本单元,但因为自身的高工作温度和它的固体电解质β?氧化铝较高的制备难度,钠电池只得到较小的应用。钠快离子导体(NASICON)的合成温度和制备难度相对于β?氧化铝较低,因此,NASICON在钠电池的低温化和应用推广方面将更具优势。NASICON在钠电池中应用的主要困难是,使用过程中它会发生晶型结构的变化,从而导致电池受到损伤。NASICON的晶型结构在合成温度低于1100℃时较为稳定,而传统烧结制备NASICON的温度高于1200℃,因此,需要在改进制备方法方面降低NASICON的合成温度。本文采用了传统烧结、固相一步烧结、热压烧结和玻璃相辅助热压烧结四种方法制备NASICON。通过传统烧结在1250℃制备得到致密且不含杂质的NASICON陶瓷,结合文献分析了传统烧结制备NASICON样品能达到的电导率上限值。研究了固相一步烧结制备NASICON的基本烧结过程和机制,在1000~1250℃制备得到纯度和致密度较高的NASICON,并通过工艺优化后的固相一步烧结制备得到纯度和密度更高的NASICON。使用热压烧结和玻璃相辅助热压烧结分别在1160℃和1000℃制备得到致密度高达98%的且杂质含量极低的NASICON样品,研究了纯度和密度基本不变时,NASICON电导率随温度的变化。对比了950~1250℃和1100℃不同保温时间所得NASICON的XRD图谱,发现NASICON室温下的晶型结构随着合成温度升高而变化。将传统烧结、固相一步烧结和热压烧结所得样品的做出比较,分析NASICON电导率随着烧结温度的上升与样品纯度、致密度和晶型结构变化的关系,得到的主要结果如下:(1)通过对比固相一步烧结和玻璃相辅助热压烧结的致密化温度,确定玻璃相的致密化温度在850℃附近。(2)NASICON室温下的晶型结构在烧结温度高于1000℃时由三方相变为单斜相,并且单斜相NASICON的晶型结构在1000~1200℃随着烧结温度的升高而改变。(3)因为NASICON的晶型结构的改变,NASICON的室温电导率在1000~1200℃之间随烧结温度的升高先上升而下降,在1100℃取得极大值。