【摘 要】
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ZnO是一种宽禁带半导体,因其特殊的光学和电学性能而被广泛应用在传感器、太阳能电池等领域。同时,伴随现代信息存储和半导体加工技术的不断发展,对器件的构筑单元的要求越来越小。例如,以ZnO纳米线结构为基础的纳米技术己向器件集成的方向发展。但是由于ZnO纳米线的尺寸非常小,利用常规的微纳加工技术构造ZnO纳米器件已经成为关键性难题,并最终导致了ZnO纳米线在探测器的发展方面受到了严重的制约。本文针对这
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ZnO是一种宽禁带半导体,因其特殊的光学和电学性能而被广泛应用在传感器、太阳能电池等领域。同时,伴随现代信息存储和半导体加工技术的不断发展,对器件的构筑单元的要求越来越小。例如,以ZnO纳米线结构为基础的纳米技术己向器件集成的方向发展。但是由于ZnO纳米线的尺寸非常小,利用常规的微纳加工技术构造ZnO纳米器件已经成为关键性难题,并最终导致了ZnO纳米线在探测器的发展方面受到了严重的制约。本文针对这一问题,采用化学气相沉积法在硅衬底电极上成功制备出横向ZnO纳米线,从而实现了ZnO纳米线网状电路的制备
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