随着电子器件集成度越来越高,不同器件的工作频率或其谐波产生重叠,发生相互串扰,进而影响整个系统的正常工作,电磁兼容成为电子产品在设计过程中不可忽视的一个问题。为了在集成电路设计阶段就减少可能出现的电磁兼容问题,降低产品生产加工后的整改风险,我们需要深入研究辐射器件的电磁特性,从而提出有效的等效模型和分析方法。结合业界工程应用,本文主要针对高频高速电子器件在电磁干扰和屏蔽方面进行了建模研究。基于研究背景和现状,本文的主要研究包括以下几个方面:1、对电容等局部元件进行了建模和高频寄生参数误差分析。本文通过基因算法优化电路模型参数,该电路模型能够准确反映出测试情况。由此我们可以建立同一工艺下元件模型参数的数据库,利用该数据库可以对不同参数值的元件做出有效预测。2、对整体辐射模块构建了等效偶极子模型。通过提取器件近场辐射信息,建立了基于切向场的磁偶极子的等效辐射源模型,并以仿真模型与实际器件验证了等效源的准确性。这极大地提升了仿真效率,并且适用于在前期设计中分析模块与周围器件的耦合。3、研究了屏蔽盖屏蔽效能的近场表达模型。屏蔽结构是解决电磁干扰的常用方法,对于辐射器件的屏蔽结构,本文创新地提出了屏蔽效能的近场表达形式。利用近场扫描灵活便捷的优点,我们分析了用近场磁场表示屏蔽效能的公式,并且将近场屏蔽效能与混响室方式测得的远场屏蔽效能进行了比较。二者的一致性验证了所提近场屏蔽效能公式的合理性,从而为电小尺寸屏蔽结构屏蔽效能的测量提供了一种新的有效测试方法。4、研究了屏蔽箱中的等效模型远场辐射评估问题。屏蔽盖和屏蔽箱是两种常见的电磁屏蔽应用场景。本文分析了复杂电磁环境下典型的噪声源和屏蔽机箱电磁辐射场景。对于屏蔽箱大而电路板小这种结构,现有软件仿真中面临着多尺度建模问题。我们以优化算法构建偶极子等效模型来替代辐射源,并验证了在屏蔽箱环境下等效模型远场评估的准确性。