采用正交设计实验法研究了配方对（1-Z）(Ba_1-x-ySr_xCa_y)TiO₃·Z（Bi₂O₃·3TiO₂）系中高压陶瓷电容器介电性能的影响，得到了影响该系统陶瓷介电性能的主次因素，各因素水平影响其性能的趋势：对介电常数而言，主次影响因素的顺序为SrTiO₃、Bi₂O₃·3TiO₂、CaTiO₃：对介电损耗而言，主次影响因素的顺序为Bi₂O₃·3TiO₂、SrTiO₃、CaTiO₃；对耐压强度而言，主次影响因素的顺序为CaTiO₃、SrTiO₃、Bi₂O₃·3TiO₂。同时得到了综合性能最佳的瓷料配方（X=0.3、Y=0.1、Z=0.03）和介电损耗最低、耐压强度最大的瓷料配方（X=0.4、Y=0.15、Z=0.04）。前者在1240℃烧结、保温60min的瓷件性能为：εr=3802、tgδ=0.42％、Eb=9.2kv／mm；后者在1220℃烧结、保温60min的瓷件性能为εr=2089、tgδ=0.06％、Eb=16.9kv／mm。 研究了ZnO、ZrO₂、Nb₂O₅掺杂对（1-Z）(Ba_1-x-ySr_xCa_y)TiO₃·Z（Bi₂O₃·3TiO₂）系材料介电性能的影响，发现掺杂ZnO、Nb₂O₅能够有效抑制晶粒长大，改善瓷体的烧结和显微结构。结果表明：在（1-Z）(Ba_1-x-ySr_xCa_y)TiO₃·Z（Bi₂O₃·3TiO₂）系瓷料中掺杂少量的ZnO可以大幅提高介质材料的耐压强度，掺杂少量的Nb₂O₅可以大大降低介质材料的介电损耗。复合掺杂ZnO、ZrO₂、Nb₂O₅可以明显地改善（1-Z）(Ba_1-x-ySr_xCa_y)TiO₃·Z（Bi₂O₃·3TiO₂）系中高压瓷介电容器材料的介电性能。0.98(Ba_0.7Sr_0.2Ca_0.1)TiO₃·0.02（Bi₂O₃·3TiO₂）试样掺杂ZnO、ZrO₂、Nb₂O₅后，其εr上升到3469，tgδ下降到0.4％，Eb提高到9.4kv／mm，这些性能明显地高于未掺杂的性能（εr=2108、tgδ3.1％、，Eb=7.4kv／m）。实验中还探讨了组分对介电性能影响机理，为研制高介、低损耗、高耐压电容器陶瓷提供了依据。 研究了烧成工艺制度对电容器陶瓷性能和结构的影响，结果表明：在一定的升温保温时间下，瓷料的最佳烧结温度主要取决于组成中Bi₂O₃·3TiO₂的含量，Bi₂O₃·3TiO₂含量的增加将降低烧结温度；在合理的烧结温度范围内，慢速升温和低温烧结将有利于得到细晶致密结构，从而改善中高压陶瓷电容器的耐压强度。 研究了BaTiO₃合成温度对电容器陶瓷材料介电性能的影响。本实验中BaTiO₃粉料最适宜的合成温度是1150℃，其所制得电容器陶瓷介电性能较好。 用差热分析、X射线衍射分析技术研究了粉料的合成及产物晶相，确定了烧块的合成温度。用扫描电镜分析技术研究了烧成制度对瓷介材料结构、致密情况的影响，发现不同烧结制度对瓷介材料的结构、致密情况不一样，因而介电性能也就不同。