随着纳米工艺技术的快速发展，器件走向了纳米尺度。这为自旋电子学、谷电子学以及热激发电子学等学科的实际应用创造了条件。自石墨烯被发现以来，二维电子器件的研究就受到了人们广泛的关注。而低维系统中热电现象的研究可以为二维电子器件的应用提供理论基础。在本文中，我们重点研究低维系统中的热电输运现象，主要包括量子点以及硅烯结中的热电输运现象。　　在第二章中,我们研究了磁性量子点结构中的热电输运现象。在无微波场的情况下，我们能够得到纯自旋流和高度极化的自旋极化流，同时研究了自旋塞贝克系数。在存在微波辐射场的情况下，可以通过调节微波场振幅来控制自旋流和电荷流。同时因为光子辅助隧穿的存在，自旋极化率的变化规律显得更加的复杂。当量子点裸露能级Vg取值为零时，我们可以通过调节微波场的相位来改变自旋流的振幅与方向。　　在第三章中，我们研究了铁磁硅烯结中的热电输运。由于自旋自由度和谷自由度的耦合，我们可以得到热激发的纯自旋流和纯谷电流。所得到的这些电流的振幅和方向都可以通过调节铁磁交换场和外加电场来进行改变，这样我们就得到了可控的电流。同时我们还可以得到完全的谷极化流和自旋极化流。同时与电流相似的是，因为能带结构对称性的存在，纯自旋塞贝克系数和纯谷塞贝克系数也可以产生，同样它们也是可以被调控的。　　无论是在量子点还是在铁磁硅烯结中，我们通过研究所得到的电流和塞贝克系数都是可调控的，这对于将来热电输运的实际应用具有很高的价值，也为新型低维电子元件的发展开拓了全新的方向。