【摘 要】
：
基于宽禁带Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长发光器件、光探测器件以及抗辐射、高频和大功率电子器件方面有着广阔应用前景。本论文在系统总结了国内外GaN材料制备的研究历史
论文部分内容阅读
基于宽禁带Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长发光器件、光探测器件以及抗辐射、高频和大功率电子器件方面有着广阔应用前景。本论文在系统总结了国内外GaN材料制备的研究历史和现状的基础上，利用分子束外延(MBE)设备和自行开发设计的热壁卤化物气相外延(HVPE)设备，对GaN厚膜生长进行了研究。本工作首创利用多孔缓冲层技术来释放外延生长过程中由于晶格失配和热失配产生的应力，即首先利用分子束外延(MBE)技术先在蓝宝石上沉积GaN单晶薄膜，并得到的将具有混合极性的薄膜腐蚀成多孔结构，再利用HVPE技术进行准同质外延GaN单晶厚膜，内容主要包括：
1.在MBE外延GaN薄膜过程中，探索了控制不同极性GaN薄膜的生长工艺条件；
2.研究了不同极性GaN薄膜的腐蚀特性的差异，并利用这种差异将混合极性的薄膜腐蚀成多孔结构；
3.利用HVPE方法在不同的缓冲层上利用HVPE方法外延GaN厚膜；
4.利用XRD、AFM、PL等测试手段比较了缓冲层对GaN厚膜性能的影响，指出具有混合极性的GaN缓冲层(腐蚀成多孔)对释放外延膜应力、提高晶体质量有很大的帮助
5.在不同反应室压强下进行外延生长，讨论了反应室总压强对外延生长速率、生长模式和晶体质量的影响。
其他文献
随着移动通信业务的迅速增加，在天线的设计上提出了宽带宽、多频带、小型化的要求，而微带天线具有结构紧凑、外观优美、体积小、重量轻等优点，得到广泛的应用。但是低增益、窄带
要想把机械制图这门课学好,首先要有良好的空间想象力,然而很多中职技校的学生都很欠缺空间的想象力,因此影响了机械制图这门课的学习.本文中,作者综合自己在教学过程中的教
刚刚闭幕的党的十六届三中全会,是在贯彻落实十六大精神、全面建设小康社会的开局之年,也是在我国改革与发展进入关键时期召开的一次十分重要的会议。全会审议通过的关于完
随着新媒体传播技术的迅猛发展,新媒体从新闻来源、新闻加工、新闻发布、新闻接收、反馈等方面对新闻生产流通的各个环节产生着深刻的影响。在新媒体浪潮的冲击下,传统媒体和
“国以人兴,政以才治。” 然而,选贤任能,历来不易。那么,应该树立怎样的选人用人观呢?从大的方面讲,我以为,应做到“四不看四看”。 “不看文凭看水平”。文凭不等于水平,
请下载后查看，本文暂不支持在线获取查看简介。
Please download to view, this article does not support online access to view profile.
现行的江苏省中职英语教材强调学生的语用能力的培养,强调学生的英语使用能力,而教师的有效教学活动在英语课堂上,一些学生在与同学或者教师交流时难免会出现许多口语错误.针
磁光效应是光与具有磁矩的物质相互作用的产物，法拉第效应是一种最重要、应用最广的磁光效应。本文主要理论阐述和分析顺磁性氟化物（）在低温、脉冲强磁场条件下的磁特性，以及法拉
数在函数中应用很广泛,可以判断函数的单调性,函数的极值与极值点,函数在某区间上的最大(小)值,函数的凹凸性及拐点等等.导数是分析解决问题的有效工具.
请下载后查看，本文暂不支持在线获取查看简介。
Please download to view, this article does not support online access to view profile.