六方晶系结构的ZnO是一种重要的宽禁带氧化物半导体材料,室温下带隙宽度为3.37eV,并且具有较大的激子束缚能（⁶0meV）,容易与其他类型的半导体材料实现集成化使用。在基底上高度规则有序生长的ZnO一维纳米结构可以用来制作表面声波仪、透明电极和短波激光器等功能器件,特别是在室温下发现ZnO纳米棒具有光致紫外发光的性能,因而高质量择优取向ZnO纳米棒的生长研究意义明显。采用Langmuir-Blodgett（LB）技术,在玻璃基底上获得均匀的ZnO薄膜,确定了ZnO薄膜的制备工艺参数:在亚相溶液浓度为0.10mol·L^-1,滑障速度约为5mm·min^-1,铺展液静置时间为10³0min,铺展量为80μL,转移膜压为28mN·m^-132mN·m^-1,基片提拉速度4mm·min^-16mm·min^-1的条件下,能够得到转移比在1.0附近的硬脂酸/Zn²⁺复合LB膜。经高温退火处理后可以得到ZnO薄膜。XRD测试结果表明硬脂酸/Zn²⁺复合LB膜结晶度较低,无ZnO的特征衍射峰,经过退火处理后制得的薄膜为ZnO晶体薄膜,呈六方晶系结构,且结晶度高。SEM表征结果显示,通过LB技术制备的ZnO薄膜表面光滑平整、颗粒尺寸均匀。UV-Vis结果说明,纳米ZnO薄膜在266nm左右和在360nm左右有吸收峰,当薄膜层数变化不大的情况下,薄膜对光的吸收强度变化也不大,说明制得的薄膜各层之间及每个膜层都是均匀的。以LB技术获得的ZnO薄膜为种子膜,采用溶液法在ZnO种子膜上生长ZnO纳米棒,探讨了种子膜拉膜层数、加热环境、生长温度、生长时间、生长液浓度等因素对生长ZnO纳米棒的影响。XRD检测结果表明,制得的ZnO纳米棒为六方纤锌矿结构,结晶度高,沿（002）晶面择优取向性良好。SEM观测结果表明,可以通过调节各影响因素值,获得高度定向生长、排列规则紧密、直径尺寸均匀以及长径比稳定的ZnO纳米棒。UV-Vis透光光谱表征结果表明,纳米棒阵列结构对ZnO光学性能有较大的影响,当ZnO纳米棒沿C轴方向择优取向性较好、表面粗糙度较低的时候,可见光在纳米棒阵列中的反射减少,使得透光率增大。即良好的纳米棒阵列结构能够有效的提高ZnO材料的光学性能。