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目前,随着对高灵敏度与高精度的微位移定位要求的日益提高,对具有高电致应变和较低滞后性的功能材料的需求日益紧迫。众所周知,钙钛矿铁电陶瓷材料具有较高的逆压电效应(较大的d33),但是相应的伴随较大的滞后效应;而且,某些铁电陶瓷当处于顺电相时还具有较高的电致伸缩效应(较大的电致伸缩系数Q33),相应的滞后效应也较低。因此这类铁电陶瓷材料的电致伸缩效应受到广泛的的关注和研究。在本论文中,我们研究了无铅铌酸钠-钛酸钡[(1-x)NaNbO3-xBaTiO3,(NN-BT)]体系铁电陶瓷中具有较低滞后性的电致应变效应。实验发现,在NN-xBT(0.10≤x≤0.27)体系中,通过X射线衍射结构拟合发现,当x=0.22时,该材料体系中存在四方-立方转变;通过介电温谱分析发现,其居里温度随BT含量x增加先减小后增大;通过应变-电场(S-E)曲线表征发现,当BT含量x在0.10-0.22间时,得到了滞后极低的单极大信号应变(<10%,40kV/cm)。另外,对于BT含量x为0.10时,当温度在30℃至120℃间时,其最大应变随温度变化程度较小,显示出较好的温度稳定性;且电致应变与电场几乎呈线性变化,显示出较好的线性度。其次,我们系统地研究来了无铅铁电陶瓷(1-x)NaNbO3-xBaTiO3(0.10≤x≤0.27)体系的电致伸缩性能。在NN-xBT(0.15≤x≤0.27)陶瓷体系中发现了对组分不敏感的Q33,其值约为0.0406 m4/C2。此外,计算表明横向电致伸缩系数Q12与Q33之间存在一定理论关系,其帮助我们加深Q33对组分不敏感的认识与理解。最后,通过压电力显微镜(PFM)研究对NN-xBT(0.10≤x≤0.27)体系中微观电畴形貌的表征,我们观察到了呈条带状不均匀分布纳米微畴,且发现随着BT含量x的增加,区域畴壁密度持续减小。本研究一方面不仅会加深我们对NN-xBT等相关系统中对温度不敏感的Q33起源的认识,而且提供了一种增强Q33的方法,即形成具有高Q12的固溶体;另一方面,该研究表明NN-xBT系统与相关的NN基体材料在高精度位移驱动器中具有较大的应用潜力。