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近年来，钙钛矿材料因其优越的光电性能引起了广泛的关注，成为光电领域的关键材料。全无机钙钛矿(CsPbX3(X=Cl，Br，I))量子点具有结构稳定、带宽可调、色纯度高、色域广等特点成为发光二极管(QLEDs)技术的核心材料。然而目前对材料合成和结晶性问题的研究还存在不足，本文通过研究CsPbX3(X=Cl，Br,I)量子点材料合成工艺方法，探讨了材料重结晶过程，并制备了相应的QLED器件。论文研究内容如下: 探究热注入方法制备全无机钙钛矿量子点(CsPbX3，X=Cl，Br,I)的过程，对产物进行了性能测试和表征。改变反应温度和卤素原子的种类，可以使全无机钙钛矿量子点(CsPbX3，X=Cl，Br,I)的激发光谱在可见光范围(400-700nm)内调节。制备了禁带宽度(Eg)分别为3.07(CsPbCl3)、2.37(CsPbBr3)和172eV(CsPbI3)的量子点材料，为后期光电器件制备研究提供了理论计算和材料合成基础。 考察了常温重结晶方法制备CsPbBrxI3-x过程。常温重结晶反应过程中，CsPbBrXI3-x量子点的荧光峰与Br和I的杂化比例有关，通过调节杂化比例，可以使杂化量子点的荧光峰在510-689nm可调。当x值在0-3之间改变时，材料的禁带宽度可在1.74-2.37eV之间调节，获得能与电子传输材料和空穴传输材料进行能带匹配的光电材料。 制备ITO/PEDOT·PSS/Poly-TPD/CsPbBr3QDs/TPBi/Al/LiF结构的QLEDs器件，利用两种空穴材料优化器件发光层平衡载流子的传输情况，考察了量子点浓度对器件性能的影响。当量子点浓度为20mg/mL时，制备了发光效率和EQE分别为0.32(lm/W)和0.2％的发光器件，完成了QLED器件制备过程浓度工艺的探索。