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本论文工作主要围绕着锰氧化物双层薄膜的制备方法及性质研究而展开。 混合价态锰氧化物在一定搀杂范围内具有超大磁阻(CMR)效应，此效应在磁电阻型随机存储器、读出磁头及各类磁场传感器方面极具潜在的应用前景。近年来人们发现CMR效应在具有强烈的各向异性的双层结构中更为明显。如何把CMR效应与薄膜这种应用上更为灵活的物质形态结合起来，已成为研究的热点。在无限层薄膜的制备及性质研究中，人们已有许多成果；但对双层锰氧化物薄膜的制备，人们只在初步探索中。第一章主要介绍有关对混合价态锰氧