【摘 要】
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自从在多层膜系统和颗粒膜系统中相继发现了巨磁电阻(GMR)和隧穿磁阻(TMR)后,与自旋有关的输运引起了人们的极大兴趣.GMR和TMR的机制有着很大的差异.全金属磁多层结构中s电子
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自从在多层膜系统和颗粒膜系统中相继发现了巨磁电阻(GMR)和隧穿磁阻(TMR)后,与自旋有关的输运引起了人们的极大兴趣.GMR和TMR的机制有着很大的差异.全金属磁多层结构中s电子贡献了电流的大部分,而不同自旋的d电子态密度不同,s-d散射导致不同自旋的s电子电导率不同,从而产生GMR效应.而FM/I/FM结中d电子贡献了电流的大部分,每一种自旋d电子的隧穿几率正比于两FM中该自旋电子态密度之乘积.外加磁场后,两FM磁化方向夹角发生改变,从而隧穿电导也发生了改变,这就产生了TMR效应.此前对FM/I/FM结TMR的理论计算结果与实验值相比偏大,通过一个简单的一维散射模型考察了界面粗糙度,磁化方向夹角等因素对TMR的影响.在第二章,考虑了局域磁性杂质对隧穿电子的散射,在此基础上研究了自旋反转效应的微观机制及其对TMR的影响.
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