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【摘 要】
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半导体纳米材料的制备以及其物理化学性能已经引起了人们的极大的关注,究其原因,是因为此类材料普遍都具有非常明显的量子效应、表面效应、尺寸效应和特殊的电子传导效应等独特的性质。作为一种宽禁带直接带隙的半导体化合物材料,氧化锌(Zinc Oxide, ZnO)的禁带宽度在室温下达到了3.37 eV以及高达60 meV的激子束缚能,其化学和物理性能非常的优良。在目前的半导体纳米材料研究领域当中,ZnO纳米
【机 构】
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电子科技大学
【发表日期】
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2011年04期
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