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近年来，为了使涂层导体在实际应用中能够维持电稳定性，使金属基底起到分流保护作用，就需要在YBCO超导层与金属基带之间采用导电缓冲层，发达国家对采用导电缓冲层的课题进行了深入的研究，但国内仍处于起步阶段。金属有机物沉积(MOD)方法工艺成本低廉，无需真空条件，制备薄膜厚度均匀，设备简单而被广泛应用。 本论文采用MOD法制备La0.5Sr0.5CoO3和Ce0.8Gd0.2O1.9-δ缓冲层，用X射线衍射仪和扫描电子显微镜研究了薄膜结构和表面形貌，讨论了不同前驱液浓度、热处理温度、气氛等因素对薄膜性能的影响。 MOD法在LaAlO3单晶基底上沉积La0.5Sr0.5CoO3导电缓冲层，通过差热分析和热重分析确定热处理路线，通过不同前驱液浓度的比较确定0.6mol/L为最佳浓度，制备的La0.5Sr0.5CoO3薄膜具有单一取向，质地均匀，无裂纹，无孔隙，晶粒细密，微观形貌良好。用四引线法测试La0.5Sr0.5CoO3薄膜的电阻率与温度的对应关系，La0.5Sr0.5CoO3薄膜在液氮温区的电阻率可以达到1.0×10-4Ω·m，具有良好的导电性。 用MOD法在Ni-W基底上沉积La0.5Sr0.5CoO3缓冲层，La0.5Sr0.5CoO3薄膜在Ni-W基底上结晶情况良好，La0.5Sr0.5CoO3薄膜具有单一取向，表面出现裂纹。 用MOD法在Ni-W基底上沉积Ce0.8Gd0.2O1.9-δ缓冲层，通过不同前驱液浓度的比较确定1.2mol/L为最佳浓度，涂覆以3000r/min旋转60s为最佳工艺，在Ar+4％H2气氛下1100℃的退火温度制备的Ce0.8Gd0.2O1.9-δ薄膜具有单一取向，(φ)扫描测试发现Ce0.8Gd0.2O1.9-δ薄膜与Ni-W基底通过面内旋转45°进行外延生长，薄膜致密均匀。