我们从研究表面处理溶液，以及简单可行的检测手段入手，探索一种成本低廉而Ⅰ行之有效的低温键合工艺。论文的主要工作如下：1.键合技术的历史、现状，键合的方法以及键合技术在不同领域内的应用进行了系统的总结。2.针对以往设计RCE探测器只能同时考虑某几个参数的优化值，笔者与崔海林博士一起综合地对RCE的各项参数进行了优化设计以及理论的模拟。3.利用半导体物理中异质结电特性的有关理论，结合实际的样品，对异质结n-InP/N-GaAs的电容、电荷、电流等特性进行深入而细致的分析，并进行了理论模拟。4.由于GaAs、InP晶片表面平整度和洁净度对晶片的键合质量以及实现低温键合有着重要的影响，所以我们从实验上优选出能够有较好的表面平整度和洁净度的表面处理液。5.表面处理过的GaAs、InP晶片表面的亲水性和疏水性与晶片键合能以及键合界面的光电特性有着很大的联系。经过接触角的测试，发现HF处理过的表面仍为亲水性，提出了疏水性表面处理的可能方案。6.在陈斌博士的帮助下，利用红外透射原理以及冷光源的方法，实现了晶片键合质量的检测，这样就可一为下一步工艺过程进行初步筛选，做到简单易行又节省人力、物力的浪费。7.与王兴妍博士合作，测试键合好的n-InP/n-InP同质结和n-InP/N-GaAs异质结的伏安特性，与理论模拟的结果进行比较，能够做到吻合较好。