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该文的工作主要分成两个部分,一是Fe超薄膜在Pt(001)表面的生长、结构和磁性研究.二是GaN(0001)清洁表面的获得和亚单层的Mn在GaN(0001)-"1x1"表面吸附的扫描隧道显微镜研究.1)在过去的二十年内,磁性多层膜独特的性质及其在信息存储方面的巨大应用潜力吸引了科学界的广泛关注.为制作符合一定要求和功能的器件,我们需要对薄膜的生长进行精确控制,对超薄膜的生长、结构和磁性的研究就显得非常重要.我们的工作是在清洁的Pt(001)单晶表面生长不同厚度Fe超薄膜,并利用STM和LEED研究它的生长和结构,原位SMOKE测量系统研究其磁性.我们发现,室温下Fe原子会和衬底上的Pt原子发生替换,替代出来的Pt偏析在表面作为活性剂,从而使Fe膜在Pt(001)表面的异质外延由三维岛状变为二维层状生长.磁性测量发现室温生长的所有厚度的Fe膜(0~7ML)的易磁化轴都在面内;600K退火后,在低覆盖度(0~4.2ML)发生了自旋的重取向,易磁化轴垂直膜面,随着Fe膜厚度的增加,易磁化轴重新转变为面内.我们仔细研究了退火前后Fe膜的自旋重取向过程,发现主要是由于Fe-Pt有序合金的形成所致.2)随着自旋电子学(Spintronics)和磁电子学(Magneto-electronics)的蓬勃发展,在半导体上外延生长铁磁材料吸引了越来越多的注意力,在这一方面也取得了许多重要进展.高质量的铁磁半导体材料(Ga,Mn)As和铁磁合金材料MnAl、MnGa、MnAs等可以外延生长在GaAs(001)衬底上,并且展现出有趣的磁学性质.GaN作为第三代半导体,很大工作都致力于提高Mn在其中的搀杂浓度.因此理解Mn在GaN衬底上的吸附和反应对于提高Mn搀杂、实现室温的稀磁半导体材料十分重要.我们用等离子辅助分子束外延的方法得到了清洁的GaN(0001)衬底表面,并且观察到了几种富Ga的表面重构;然后利用STM研究了亚单层的Mn在GaN(0001)-"1x1"表面的吸附行为,我们观察到了两种10x10的重构,并对此进行了结构分析.