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无机半导体量子点(QDs)由于其量子尺寸效应引起了独特的吸收和发光特性,使其在生物学、光电子学和电子学等领域引起了广泛关注和研究兴趣,并取得很大的研究进展。基于量子点的发光二极管(QLED)拥有发光色纯度高、光化学稳定性好、可溶液加工性等特点,使其在新一代固态照明和平板显示领域与有机发光二极管(OLED)相比具有更大的竞争优势。目前基于球形或类球形胶体量子点在发光二极管中的研究最为广泛,对于非球形的各向异性半导体量子点在发光器件中的研究较少,而形状各向异性结构的量子点(如纳米片、纳米棒)具有偏振极化发光和高的摩尔消光系数等区别于传统球状量子点的特点,近年来已经引起了研究人员的关注。半导体纳米片为类二维的量子阱结构,由于其一维限域作用使其拥有近10 nm的荧光线宽,其单色性远远优于传统含镉体系球形或类球形量子点(荧光半峰宽大都在20 nm以上),基于该结构的纳米片QLED有望取得单色性突破,达到超单色性(半峰宽小于15 nm)标准。胶体纳米棒的偏振发光以及自组装特性使得其在QLED的应用中具有一定优势,有望打破传统量子点出光效率25%的限制,实现QLED器件的性能突破。本论文首先通过优化实验方案合成出高质量的片状和棒状两种各向异性CdSe/CdS核壳结构量子点,主要研究量子点的相关光学性质,并通过全溶液法构筑基于这两种量子点的发光二极管,探索形状各向异性量子点对电致发光器件性能的影响,主要包括以下两个方面内容:(1)利用热循环连续离子层吸附反应法(TC-SILAR)制备出高质量的超单色性绿色CdSe/CdS荧光纳米片,其荧光发射峰位为556 nm,荧光线宽为12 nm,荧光量子产率达60%。将该纳米片作为发光层,采用全溶液法构筑三明治夹芯结构的QLED,最终器件表现出优于采用球状量子点QLED的单色性,电致发光半峰宽仅为14 nm,器件的最大亮度达到33000 cd/m~2,外量子效率为5%,电流效率达12.5 cd/A。该结果与之前的报道相比,亮度增加数百倍,性能极大提升。性能的改善归因于CdSe/CdS核壳纳米片的高的量子产率和优异的器件结构,良好的器件结构使得电子和空穴注入更加平衡,并进行有效的电荷复合,从而导致较高的效率和亮度。结果表明胶体纳米片能够在极大程度上改善QLED的单色性,为QLED在超高清电视和其它高清显示方面的应用提供了可能。(2)采用种子生长法,通过调控CdS壳层生长速率,经一步快速生长和二次慢速生长制备得到两种CdSe/CdS核壳结构的纳米棒。对比分析这两种纳米棒的各项性能,结果显示,经二次慢速壳层生长后,纳米棒的各项光学参数均优于一步快速注入生长的纳米棒,荧光强度和量子产率明显提高。对比所得QLED性能,结果同样显示,经二次慢速注入生长的纳米棒的器件性能明显优于快速一步法生长得到的纳米棒QLED,亮度分别为32900和24300 cd/m~2,外量子效率和电流效率分别达到7.1和3.7%,8.7和4.7cd/A。外量子效率和发光效率分别提高91%和85%,这种改善归因于二次慢速壳层生长后得到的纳米棒尺寸更加均匀,结晶性更好,有效地抑制了表面缺陷引起的非辐射俄歇复合。