通过高温固相反应法制备了掺Eu³⁺基质为CeO₂的发光粉系列样品并对其做了X射线衍射谱（XRD）和光致发光谱（PL）检测。XRD结果表明在Eu³⁺掺杂浓度为0.2?10at．％的范围内，Eu³⁺完全进入了CeO₂的晶格，形成固溶体Ce_1-xEu_xO₂；PL谱表明Eu³⁺的发射峰强度依赖于Eu³⁺的掺杂浓度，在Eu³⁺的含量为1at．％时最强，随后出现浓度猝灭。 采用高温固相反应法和溶胶-凝胶法（sol-gel）合成了新型发光材料SrCeO₃：Eu³⁺。研究了材料制备的相变过程以及材料的结构性质和发光特性。对于采用sol-gel法制备了SrCeO₃：Eu³⁺发光粉，TG-DTA和XRD分析结果表明钙钛矿结构的SrCeO₃：Eu³⁺形成于850℃左右；1000℃焙烧的样品以SrCeO₃为主晶相，伴随有少量Sr2CeO₄和CeO₂杂相；1250℃焙烧的样品为SrCeO₃钙钛矿结构并含有极少量CeO₂杂相。分析表明，在干凝胶高温焙烧过程中，SrO的过量蒸发导致了由sol-gel法制备的SrCeO₃：Eu³⁺中残留少量的CeO₂相。因而在采用sol-gel法制备SrCeO₃：Eu³⁺发光粉时，起始反应物中SrCO₃应有适当过量为宜。 采用sol-gel法制备的SrCeO₃：Eu³⁺样品的激发光谱由峰值位于～239、～258nm激发带和270—320nm宽激发带组成。其中270—320nm激发带为Eu³⁺-O^2-的电荷迁移带和基质Ce⁴⁺-O^2-电荷迁移带的叠加。短波区的两个激发带起源于基质的能量吸收。各激发带对应的发射光谱均以⁵D₀—⁷F₁跃迁为主。 对于通过高温固相反应法制备的不同组分的SrCeO₃：Eu³⁺发光粉。研究了EH³⁺离子在SrCeO₃晶格中的替代规律。光谱分析表明～239nm和～258nm激发带起源于基质的紫外吸收；～273nm、～298nm的激发带为Eu³⁺-O^2-的电荷迁移带；～285nm和～310nm激发带属于ce⁴⁺-O^2-的电荷迁移带。发射峰强度随Eu³⁺掺杂浓度从0.5at．％到15at．％逐渐增强，在15at．％时最强，没有出现浓度猝灭。在Eu³⁺浓度少于5at．％的样品中，⁵D₀—⁷F₁跃迁比⁵D₀—⁷F₂跃迁强，在Eu³⁺浓度超过5at．％的样品中，⁵D₀—⁷F₂跃迁比⁵D₀—⁷F₁跃迁强。SrCeO₃：Eu³⁺发光粉样品对不同激发波长表现出不同的发射强度。