AlGaN/GaN HEMT器件是目前高压、高频以及大功率器件领域研究的热点,MEMS微动结构是高灵敏度传感器的一个重要研究方向,正是由于GaN HEMT器件与MEMS微动结构的显著优势,将两者相结合在力电转化传感器领域具有重要的应用前景。主要研究了高性能AlGaN/GaN HEMT器件的制备及优化工艺,完整的AlGaN/GaN微动隔膜的湿法腐蚀制备工艺,最终在微动隔膜上得到GaN HEMT器件。通过ANSYS软件对AlGaN/GaN微动隔膜原理进行了仿真。应力最大处及应力变化速度最大处均位于微动隔膜边缘,所以该位置存在最大的极化效应变化,将HEMT器件置于微动隔膜边缘可以提高器件的探测性能。其次,为了提高AlGaN/GaN HEMT器件的性能,对器件结构做了几个方面的优化:为了降低ICP隔离有源区后电极的爬坡难度,使用正光刻胶作为掩膜得到倾斜台面;为了改善源漏欧姆接触特性,采用TLM模型对五种金属结构电极进行测试,对比不同Ti/Al层数、厚度以及组分的电极,最终选择比接触电阻率最小,表面形态较佳的Ti/Al/Ti/Al/Ti/Al/Ni/Au结构作为源漏电极;提高栅极肖特基接触特性可以增强栅极对沟道的控制能力,通过退火发现肖特基特性得到明显改善,正向导通电压增加,反向电流显著减小。最后,研究了AlGaN/GaN微动隔膜的制备工艺,采用湿法腐蚀工艺在器件背面对Si衬底进行腐蚀,形成空腔,将空腔内Si腐蚀干净,释放出微动隔膜。通过对比不同腐蚀液,发现各向异性腐蚀液腐蚀速率极慢,所以选择了腐蚀速率较快的各向同性的氢氟酸、硝酸腐蚀液;腐蚀掩膜材料需要能够承受氢氟酸、硝酸的腐蚀,金与氮化硅材料无法达到实验所需的高腐蚀深度,而石蜡材料可以承受腐蚀;经过两大部分的制备工艺,将AlGaN/GaN HEMT器件置于微动隔膜之上,隔膜微小形变能够影响器件的电流特性,说明二者的结合有制备力-电转换传感器的潜能。