在实现集成电路大规模产品工艺中,随着关键尺寸的不断缩小,工艺技术创新、加工次序和工业过程控制要求越来越严格。尤其困难的是,大规模生产中产品稳定性控制,因为随着栅极尺寸的缩小,各种工艺参数波动的敏感度指数上升,如90纳米甚至65/55纳米的典型物理栅长小于半间距(half pitch)的50%。3∑临界尺寸一致性要求通常以物理临界尺寸的预算百分比形式给出,通常为10%。因此,对90nm技术来说,关键的栅图形的临界尺寸控制要求约为5nm[1];对65nm来说是3nm[2]。因此工艺控制对产品稳定性尤为重要。本文针对集成电路器件关键参数器件饱和电流均匀性控制进行研究。本文提出了一种从器件电学参数测试均有性要求反向制定工艺优化指标并验证的方法。1、从器件饱和电流公式中各个参数的物理意义出发,分析影响该参数的工艺步骤;2、根据相应的工艺步骤特点,设计工艺窗口实验,选取在线或离线数据并进行采样,测量相应晶圆漏极饱和电流;3、分析工艺波动数据和饱和电流变化的关系,确立漏极饱和电流对工艺波动敏感度4、由大规模生产中工艺波动大数据和敏感度共同确定需要优化工艺步骤;5、由漏极饱和电流均匀性要求确立工艺优化标准即工艺波动容忍度;优化工艺,整合各工艺优化成果,达成漏极饱和电流均匀性要求,形成反馈体系。在器件电学参数监控监控工艺波动过程中引入了PDK(Process Design Kit)方法,利用计算机辅助设计通过编程方式快速完成多尺寸测试结构版图编制。该方法可以一定程度上排除各步工艺间工艺波动对单一电学参数影响的扰动因素。