ZnO:A1（AZO）透明导电膜具有无毒性、成本低、高的热稳定性和化学稳定性等优势，并且具有优异的光学、电学性质，它作为一种重要的光电子信息材料得到了广泛的研究和应用。无论是非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池的透明电极，还是非晶硅薄膜太阳能电池的复合背电极，目前研究主要集中于AZO薄膜的性质，而忽略了沉积AZO薄膜对a-Si膜层造成的影响，及其与a-Si材料相结合之后的性能表现。本文采取射频磁控溅射技术，在非晶硅薄膜上沉积AZO薄膜，对其进行测试表征，研究溅射功率和沉积温度对AZO薄膜以及a-Si膜层性能的影响，优化出基本的制备工艺参数。随后采用在溅射气氛中掺杂H₂的方法进一步提高AZO薄膜的性能，分析讨论H₂掺杂量和沉积温度对AZO薄膜性能的影响。最后，对不同厚度AZO薄膜的增反作用以及AZO与n-a-Si薄膜之间的接触特性进行了研究。实验结果表明：增加溅射功率可以改善AZO薄膜的结晶质量以及电导性，但是过高的功率会对样品造成物理性破坏，不仅使AZO电阻率升高，同时会使非晶硅薄膜厚度减小。随着沉积温度的升高，掺杂与未掺杂H₂制备样品的电阻率都表现出明显的下降趋势，同一沉积温度下，掺杂1%H₂气氛下制备的AZO薄膜的电阻率明显低于纯Ar气溅射沉积的样品。与高温250℃时不同，低温下100℃下H原子的还原性较低，对薄膜腐蚀作用较弱，没有出现表面发生龟裂的现象。通过改变氢气掺杂量，在H₂掺杂比例为4%时获得电阻率为0.88×10^-4Ω·cm的低电阻AZO薄膜，其值仅为同等条件下未掺杂H₂制备的样品的1/5。在n-a-Si膜与Al之间加入一层AZO薄膜之后，界面保持了良好的接触性能，AZO/n-a-Si的接触电阻随着AZO厚度的增加逐渐减小。AZO/Al复合背电极的增反效果明显。