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该文研究超大规模集成电路的接触材料TiSi<,2>,CoSi<,2>,新型光电子材料FeSi<,2>,以及宽带半导体材料SiC.研究重点放在以下两个方面:大束流离子注入制备TiSi<,2>,FeSi<,2>和SiC;固相外延法在Si(100)衬底上外延生长CoSi<,2>薄膜.
离子注入制备TiSi<,2>,FeSi<,2>和SiC及Ti覆盖层法制备CoSi<,2>的研究
【摘 要】
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该文研究超大规模集成电路的接触材料TiSi,CoSi,新型光电子材料FeSi,以及宽带半导体材料SiC.研究重点放在以下两个方面:大束流离子注入制备TiSi,FeSi和SiC;固相外延法在Si(10
【机 构】
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清华大学
【出 处】
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清华大学
【发表日期】
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2002年期
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