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本文采用电子陶瓷工艺制备技术,分别制备了CuO、Nb2O5和Sb2O3掺杂的三个系列ZnO压敏陶瓷样品；测量了样品的正电子湮没寿命谱和正电子湮没辐射多普勒展宽谱,研究了样品中的缺陷及电子动量分布；用扫描电子显微镜和X射线衍射等方法研究了ZnO压敏陶瓷的微观结构；测量了不同摩尔含量CuO、Nb2O5和Sb2O3掺杂的ZnO基压敏陶瓷的压敏电压、漏电流和非线性系数,讨论了掺杂引入的Cu离子、Nb离子和Sb离子分别对ZnO基压敏陶瓷电性能和微结构的影响。本文的主要的实验结果如下：(1)对用不同摩尔含量CuO掺杂的ZnO压敏陶瓷,随着CuO掺杂量的增加,压敏电压的V1mA和非线性系数α先减小后增大,当CuO掺杂量为0.10mol%时,样品的晶粒最大,其压敏电压V1mA,为21.5V,为该系列样品的最小值；漏电流IL则随CuO掺杂量的增加先增大后减小。(2)在ZnO压敏陶瓷中掺入不同摩尔含量的Nb2O5,随着Nb2O5掺杂量的增加,ZnO晶粒和漏电流IL先减小后增大,压敏电压V1mA和非线性系数α先增大后减小。当Nb2O5掺杂量为1.5mol%时,样品的压敏电压V1mA为9.1V,为该系列样品的最小值,而该样品的漏电流IL是该系列样品的最大值。(3)在ZnO压敏陶瓷中掺入不同摩尔含量的Sb2O3,随着Sb2O3掺杂量的增加,ZnO晶粒和压敏陶瓷的非线性系数α增大后减小,压敏电压V1mA先减小后增大。压敏陶瓷的漏电流IL随着Sb2O3掺杂量的增加而降低。当Sb2O3掺杂量为0.05mol%时,样品的压敏电压V1mA为35.5V(为该系列样品的最小值),其漏电流IL和非线性系数α别为45μA和10.3。(4)在ZnO压敏陶瓷中掺入不同摩尔含量的CuO,引起了ZnO压敏陶瓷电子密度的变化。随着CuO掺杂量的增加,ZnO压敏陶瓷的正电子湮没平均寿命先减小后增大,当CuO掺杂量为0.10mol%时,其正电子湮没平均寿命是该系列样品中的最小值。随着CuO掺杂量的增加,样品的商谱谱峰呈先升高后下降的。(5)对Nb2O5掺杂的ZnO压敏陶瓷样品,随着掺杂量的增加,形成Nb-VZn的复合体数量增加,而VZn减少,导致正电子湮没平均寿命降低。(6)对以Sb2O3掺杂的ZnO压敏陶瓷样品,随着Sb2O3掺杂量的增加,ZnO压敏陶瓷的正电子湮没平均寿命先减小后增大,当Sb2O3掺杂量为0.05mol%时,其正电子湮没平均寿命为199.02ps,是该系列样品中的最小值。