钙钛矿结构金属氧化物薄膜的电阻开关性能研究

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随着传统存储器件的尺寸越来越达到其缩放极限,下一代新型的非易失性存储器件应运而生,其中包括相变存储器、聚合体存储器、磁存储器和电阻存储器。在这些存储器中,非易失随机存取存储器由于其具有结构简单、存储密度高、低功耗、写入和擦除速度过程非常快等优越的特性成为其中最具竞争力的候选对象。近年来,钙钛矿金属氧化物,比如La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)和Pr0.67Ca0.33MnO3(PCMO), SrTiO3(STO)等,在未来非挥发性存储器的应用上面引起了科学家极大的研究兴趣。然而,RRAM的
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