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TiO_2薄膜是重要的半导体和光学材料,而目前鲜有TiO_2陶瓷靶应用于直流溅射法制备TiO_2薄膜。本文中,纯TiO_2和2.5wt%Nb掺杂TiO_2陶瓷将采用真空烧结在温度1200℃1400℃制备而成。分别采用X射线衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM)和四探针测试仪测试表征纯/Nb掺杂TiO_2陶瓷的结构和导电特性。烧结温度1200℃下的纯/Nb掺杂TiO_2陶瓷都显示出典型的金红石结构;而随温度的升高,陶瓷的脱氧加深,纯/Nb掺杂TiO_2陶瓷分别在1350℃和1400℃后明显出现Ti