抗低温氧化型二硅化钼基复合材料研究

来源 :中国科学院上海硅酸盐研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gyl5667661
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该文以抗低温氧化型电热元件为目标,在系统研究二硅化钼低温氧化特性及其机理的基础上,创新性地设计、制备了抗低温氧化型二硅化钼材料,并对其力学、热学、电学、高温变形等性能进行了研究,综合对其全面性能的考察结果,摸索出抗低温氧化型二硅化钼材料最佳组成及结构,并成功地制备出抗低温氧化型二硅化钼发热元件.主要研究内容包括二硅化钼低温氧化机理及微结构与低温氧化的关系研究,抗低温氧化型二硅化钼材料的设计与实现,MoSi<,2>/Oxide系复合材料电学、热学、力学性能研究,最佳组成设计发热元件制备及Na<,2>O含量对其使用特性的影响等四部分.通过对二硅化钼低温氧化热力学和动力学的分析结果表明,在热力学和动力学上,导致二硅化钼低温氧化问题的硅钼同时氧化在低温优先发生.这说明要改善二硅化钼低温氧化性能,必须从考察影响低温氧化动力学因素入手,从动力学角度阻止低温氧化问题的发生.在保证材料良好的导电性和导热性很少受到影响的前提下,根据显微结构与低温氧化的关系,创新性地提出利用复合组织设计的思想来设计二硅化钼材料的显微结构.系统考察了MoSi<,2>/Oxide系复合材料的力学、热学、电学、抗热冲击和高温变形特性.结果表明:除室温强度和断裂韧性外,材料的热学、电学、抗热冲击和高温变形特性都与材料的显微结构有密切的关系.即随着Oxide含量的增加,复合材料的热导率、电导率、临界抗热震温差表现出与复合材料中MoSi<,2>相连续度相似的变化规律,材料脆性延性转变温度(BDTT)强烈地依赖Oxide的分布特征.综合对复合材料性能的考察结果,选用添加复合氧化物形成网络状结构的MoSi<,2>/20vol%Oixde作为抗低温氧化型二硅化钼材料,成功的制备出实用的电热元件.
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