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有机场效应晶体管(OFETs)在射频识别,柔性显示器,传感器等方面具有广泛的应用,因此获得学术界广泛的关注。有机半导体材料是OFETs的基础,材料的性能直接决定着OFETs的应用,因此设计和合成高性能的有机半导体材料具有重要的意义。目前人们已经合成了一系列稳定,高性能的p型半导体材料,但是n型半导体材料的发展远远落后于p型材料,而n型半导体材料又是逻辑互补电路不可或缺的一部分。本文将吡啶环引入分子骨架,利用吡啶缺电子特性,设计合成了一系列n型半导体材料。同时,利用吡啶和金属配位对材料的带隙和迁移率进