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该文研究了钨酸铋钠NaBi(WO<,4>)<,2>(NBW)及其掺杂晶体的坩埚下降法晶体生长,并对该晶体作为Cherenkov辐射体的性能进行了探讨.采用坩埚下降法成功地生长出了高质量、尺寸达18×18×52mm<'3>的NBW晶体.指出坩埚下降法自发成核NBW晶体生长的生长面为(001)面,这与白钨矿结构晶体(001)面生长快的特点是完全符合的,Bravais法则和负离子配位多面体生长基元理论都能够很好地解释这一现象.分析了目前NBW晶体中存在的主要宏观缺陷,如组分不均匀性、开裂、光散射中心等,指出这些缺陷与生长晶体的各组分之间巨大的挥发差异、晶体生长加速度等因素有关,在此基础上提出了消除或减少这些缺陷的工艺改进措施.晶体的系列测试结果表明,纯的NBW晶体在室温下没有本征发光.对NBW晶体做为Cherenkov辐射体的性能进行了研究.对NBW晶体的透光率测试结果表明,晶体的截止吸收边在340nm.用不同方法对NBW晶体的禁带宽度进行了计算,通过比较,认为NBW晶体的禁带宽度为4.29eV.对NBW晶体进行的辐照研究表明,当辐照剂量率为2000rad/h时,晶体的抗辐照强度不小于10<'5>rad.生长了系列掺杂NBW晶体,得到了尺寸为19×12×45mm<'3>的高质量的Gd<'3+>:NBW晶体.分析了Gd<'3+>掺杂对晶体生长的影响.指出Gd<'3+>在NBW晶体中占据Bi<'3+>的位置,计算了Gd<'3+>在NBW晶体中的分凝系数为K=2.36.对Gd<'3+>:NBW晶体发光进行了有关光谱表征,并对其发光机理进行了初步探讨.