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硅材料作为一种高效率、高增强因子的SERS基底近年来得到广泛的研究和应用。我们最近报道的硅基SERS基底（包括修饰有金/银纳米颗粒的硅纳米线，修饰有金/银纳米颗粒的硅片）的EF值可达106-108，远远高于游离态的金/银纳米颗粒。但需要指出的是，过去关于SERS的研究大部分基于粒子的聚集态，从实验上研究硅基底如何影响单个纳米粒子的SERS增强鲜有报道。由于聚集态的纳米粒子间隙产生的“活性位点”（hot spots）强烈影响着SERS增强，并很可能掩盖了其基底SERS增强的贡献，所以在单纳米粒子水平进行SERS研究显得尤为重要。本文首次从单纳米粒子水平出发，在实验和理论上同时证实了硅基底的SERS增强效应，为硅材料作为一种具有潜在应用前景的SERS基底提供了良好的实验证明。在本文中，我们发展了一种用反应离子刻蚀辅助的（reactive ion etching(RIE)-assisted）制备单纳米粒子硅基SERS平台的方法，利用RIE刻蚀技术，便于把单个纳米粒子均匀分散在RIE刻蚀形成的孔洞的中，再通过SEM成像对每个纳米粒子的位置、尺寸、形貌进行精确的测量。该方法无需依赖暗场成像，只需研究沉积在刻蚀后孔洞中的纳米粒子，定位区域更加精确，目的性更强。随后，我们对硅基底上每个单独的金纳米颗粒进行SERS研究，发现相比于在石英玻璃基底，硅基底对单个金纳米颗粒有更好的SERS增强效应。