近些年来SiC一维纳米材料已成为国内外的研究热点，这是因为其不仅继承了块体SiC材料的良好性能，如高熔点、高硬度、低密度、良好的热稳定性以及优异的高温性能和力学性能等，而且因其独特的形貌和结构特征，使其具有一些特殊的物理和化学性质，在高温结构材料、微纳米电子器件、催化等方面具有广泛的应用前景。因此，对一维SiC纳米材料的研究具有重要的意义。本文以球磨后的微纳米粉体石墨、硅和二氧化硅为原料，以氧化铝、二茂铁、硝酸铁、硝酸镍作为催化剂，在1100-1500℃采用碳热还原法制备出了SiC纳米线。通过多种测试表征手段，如扫描电子显微镜（SEM）、能量色散谱分析（EDS）、透射电子显微镜（TEM）、X射线衍射分析（XRD）等，对已合成产物的成分、形貌以及结构进行了详细的分析和研究。通过调整实验变量，研究了不同反应温度、保温时间、催化剂、真空度以及反应物等多个变量对SiC纳米线生长的影响；结合文献的报道和实验验证，分析了纳米线微结构可控生长的制约因素；最后基于热力学数据的计算和实验产物的表征，还分析了SiC纳米线的生长过程以及生长机理。经过多种分析测试手段的表征，我们发现：①本方法合成的纳米线长度最长达到了毫米级甚至是厘米级，这是目前所报道的以无机粉体为原料所制备出的一种超长纳米线；②纳米线粗细比较均匀，直径在几十至百纳米级别；③纳米线的形貌主要有直线和弯曲状，但也有分叉等形态出现；④纳米线主要包含碳、硅、氧以及少量的催化剂合金元素；⑤本方法制备的纳米线主要成分为β-SiC；⑥纳米线中含有较多的层错，纳米线表层被厚为2~4nm的SiOx非晶层所包覆；⑦纳米线的生长方向为<111>方向。经研究发现，不同变量对纳米线生长影响很大：①对以硅和石墨为原材料而言，在烧结炉中纳米线的最佳生长温度为1400℃，低温时纳米线基本呈现弯曲生长，产量较低，随着温度的升高，纳米线逐渐呈现直线状，且产量较高，当温度高于最佳生长温度时，产物则会呈现短棒状的纳米棒生长，随着反应温度的升高，纳米线的直径也在增大；②随着保温时间的延长，纳米线的产量逐渐增加；③不同催化剂的催化效果不同，其中二茂铁和氧化铝的催化效果较好；④真空度（压力）对纳米线生长的影响与所选的反应温度以及气体过饱和度有关；⑤向硅和石墨体系中添加纳米级的二氧化硅，纳米线的产量明显得到提高；⑥在管式炉中，采用粉体硅、二氧化硅和石墨以及少量的催化剂可以制备出长达毫米级的纳米线。在热力学计算和纳米线表征的基础上，我们发现：尽管在实验过程中添加了催化剂，但在纳米线的一端并未发现含有催化剂合金元素的大液滴，而催化剂在纳米线的生长过程中发挥了重要作用，SiC纳米线主要是通过气-固反应而生成的，因此我们提出了本文制得的纳米线其生长机理为催化剂辅助的气-固生长机制。