磁控溅射沉积PZTPt薄膜异质结构的研究

来源 :第八届真空技术应用学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ie8848

【摘要】

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在SiO2/Si衬底上采用直流磁控溅射沉积复合金属薄膜Pt/Ti作为电极,薄膜电导率高,结构致密且表面无空洞等缺陷;在Pt/Ti/SiO2/Si结构衬底上采用射频磁控溅射沉积锆钛酸铅薄膜(P

【作者】

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郭杰王静宇李振豪

【机构】

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昆明物理研究所,昆明,650223

【出处】

：

第八届真空技术应用学术年会

【发表日期】

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2005年4期

【关键词】

：

直流磁控溅射 PZT薄膜铂/钛复合金属薄膜 X射线衍射原子力显微镜射频磁控溅射

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在SiO2/Si衬底上采用直流磁控溅射沉积复合金属薄膜Pt/Ti作为电极,薄膜电导率高,结构致密且表面无空洞等缺陷;在Pt/Ti/SiO2/Si结构衬底上采用射频磁控溅射沉积锆钛酸铅薄膜(Pb(Zr1-xTix)O3,PZT),经退火后结晶形成具有热释电性质的钙钛矿结构薄膜,热释电系数达到1.1531×10-8Ccm-2k-1.

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