采用热氧化的方法在P型硅衬底上获得SiO2隧穿层;随后采用等离子体化学气相沉积的方法,以CH4与SiH4为反应气体,在隧穿层上制备富硅SiCx薄膜;并将上述样品原位1000℃热退火制备了含硅量子点的SiCx薄膜;最后利用PECVD的方法在SiCx薄膜沉积控制栅绝缘层,获得了含SiCx薄膜包裹硅量子点的存储结构.采用透射电子显微镜(TEM)观测存储层的结构、SiCx薄膜中的硅量子点,结果表明,采用上述工艺成功制备了SiO2/SiCx薄膜/Si-QDs/SiCx薄膜存储层,SiCx薄膜中生长了大量的硅量子点.采用C-V特性曲线测试的方法对存储层的存储性能进行测试,C-V特性曲线表明,在扫描栅压为±12V时,双势垒存储结构有将近10V的存储窗口,编程过程有大量的电子注入到硅量子点中.利用退火的方法能够从富硅SiCx薄膜中析出硅量子点;在存储器中引入硅量子点能够改善存储器的存储性能,获得很大的存储窗口,并且储存器容易制备,与传统CMOS工艺兼容。